BMW i Ventures anunţă investiţia strategică la GaN Systems

Bucureşti/Mountain View. BMW i Ventures a anunţat o investiţie strategică la GaN Systems, un dezvoltator de circuite integrate şi producător fabless (cu extreanlizarea procesului de producţie). Azotatul de galiu (GaN) este un material semiconductor de bandă largă care permite eficienţă energetică mai mare, miniaturziare crescută şi performanţe mai mari. GaN Systems se concentrează pe circuite integrate de putere bazaţi pe GaN, care pot fi utilizaţi în dispozitive electronice, centre de date, industrie şi pentru automobile. Circuitele GaN permit ca următoarea generaţie de automobile electrice cu densitate mai mare a energiei să aibă capacităţi de încărcare mai rapidă şi autonomii mai mari.

"Circuitele integrate de putere GaN Systems au creat noi posibilităţi pentru ingineri de a construi electronica de putere solicitată de sistemele din prezent. Circuitele bazate pe azotatul de galiu au devenit, în opinia mea, următoarea piatră de temelie importantă în miniaturizare. Am văzut sisteme cu dimensiuni reduse la 75%, în timp ce oferă eficienţă mai bună decât alternativele tradiţionale bazate pe silicon. Cu GaN, orice sistem care are nevoie de energie poate deveni mai mic, mai uşor şi mai eficient. Aceste capacităţi sunt deosebit de relevante în domeniul auto", a declarat Uwe Higgen, director general al BMW i Ventures.

Directorul executiv al GaN Systems, Jim Witham, a comentat la momentul investiţiei de referinţă: "De la încărcătoare pentru computere/telefoane şi centre de date, până la motoare de uzină şi automobile electrice, clienţii noştri au validat valoarea pe care GaN o propune pentru electronica de putere mică, eficientă şi cu costuri reduse. Aceste beneficii sunt recunoscute pe scară largă de cele mai mari companii ale lumii, provenite din industrii diferite".

"Există multe exemple privind modul în care GaN aduce beneficii sistemelor de putere", a continuat Higgen. "Cu automobilele autonome, va exista nevoia de a scala masiv infrastructura centrelor de date. Consumul de energie al centrelor de date este unul dintre cei mai mari factori de cost, iar creşterea eficienţei energetice va reprezenta economii de miliarde de dolari şi va permite o infrastructură mai sustenabilă pe mapamond."

Despre GaN Systems GaN Systems este locul în care designerii de electronică transpun toate beneficiile sistemului de tranzistori cu azotatul de galiu în aplicaţiile lor pentru invertoare de tensiune. Compania oferă cea mai completă gamă de tranzistori de putere GaN pentru pieţele de electronice, centre de date, industrie şi transporturi. Compania are sediul central în Ottawa (Canada). Pentru mai multe informaţii, accesaţi www.gansystems.com, iar pentru a afla ştiri despre produsele şi tehnologia de tranzistori GaN, marcaţi www.gannewsroom.com.